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2N6285

更新时间： 2024-11-03 22:45:03
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 217K
描述
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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2N6285 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.05
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

2N6285 数据手册

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by 2N6282/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applica-  
tions.  
•
High DC Current Gain @ I = 10 Adc —  
C
h
FE  
h
FE  
= 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284  
= 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287  
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — 2N6282, 2N6285  
= 80 Vdc (Min) — 2N6283, 2N6286  
= 100 Vdc (Min) — 2N6284, 2N6287  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
*Motorola Preferred Device  
*MAXIMUM RATINGS  
DARLINGTON  
20 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60, 80, 100 VOLTS  
160 WATTS  
2N6282 2N6283 2N6284  
2N6285 2N6286 2N6287  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
20  
40  
Base Current  
I
B
0.5  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
160  
0.915  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T ,T  
J stg  
–65 to +200  
C
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
*THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
* Indicates JEDEC Registered Data.  
R
1.09  
C/W  
θJC  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
C)  
175  
200  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1995
123456

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2N6285 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6286G ONSEMI

功能相似

 Darlington ComplementarySilicon Power Transistors
NTE252 NTE

功能相似

 Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
PMD17K100 CENTRAL

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 SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与2N6285相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6285LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2
2N6286 SEME-LAB

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 		Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3
2N6286 NJSEMI

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 		COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
2N6286 COMSET

获取价格

 		PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
2N6286 STMICROELECTRONICS

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2N6286 BOCA

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2N6286 CENTRAL

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 		POWER TRANSISTORS TO-3 CASE
2N6286 ONSEMI

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 		Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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