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JAN2N6277

更新时间： 2024-11-03 22:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N6277 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BFM
包装说明：	TO-204AA, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

JAN2N6277 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 514

Devices

Qualified Level

JAN

2N6274

2N6277

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6274 2N6277 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

100

150

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

120

180

6.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽²⁾

P_T

T_j_,T

250

143

⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 1.43 W/⁰C between T_C= +25⁰C and T_C= +200⁰C

TO-3*

(TO-204AA)

Symbol

Max.

0.7

Unit

⁰C/W

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

100

150

I_C= 50 mAdc

2N6274

2N6277

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 75 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 120 Vdc, V_BE= -1.5 Vdc

V_CE= 180 Vdc, V_BE= -1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0 Vdc

mAdc

2N6274

2N6277

I_CEO

2N6274

2N6277

I_CEX

I_EBO

I_CBO

100

mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 120 Vdc

V_CB= 180 Vdc

2N6274

2N6277

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N6277 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N6277	MICROSEMI	完全替代	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
2N6277	MICROSEMI	完全替代	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
2N6284	STMICROELECTRONICS	功能相似	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与JAN2N6277相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6283	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6284	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6286	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JAN2N6287	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JAN2N6298	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6299	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6300	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-66
JAN2N6301	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-66
JAN2N6306	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal
JAN2N6308	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal

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