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IXYH50N65C3H1

更新时间： 2024-09-17 19:45:35

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
8页	252K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYH50N65C3H1 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.09	Base Number Matches：	1

IXYH50N65C3H1 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX3^TMw/ Sonic

Diode

V_CES= 650V

I_C110= 50A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 27ns

IXYH50N65C3H1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60kHz Switching

TO-247AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

130

G = Gate

E = Emitter

Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

Tab = Collector

250

I_A

E_AS

T_C= 25°C

300

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

μs

(RBSOA)

V_CE V_CES



Optimized for 20-60kHz Switching

Square RBSOA



t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

Avalanche Rated

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

Short Circuit Capability

International Standard Package

P_C

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Advantages

-55 ... +175



High Power Density

Extremely Rugged

Low Gate Drive Requirement

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

3.5

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.0



50 A

100 nA



High Frequency Power Inverters

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.74

2.00

2.10

DS100572B(7/14)

12 3 4 5 6 7 8

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IXYH50N65C3H1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH50N60C4	IXYS	功能相似	High-Gain IGBTs

与IXYH50N65C3H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYH55N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH55N120B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYH55N120C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYH55N120C4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYH60N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH75N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH75N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH75N65C3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYH75N65C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH80N90C3	IXYS	获取价格	XPTTM 900V IGBT

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