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IXYK140N90C3

更新时间： 2024-11-06 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 232K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYK140N90C3 数据手册

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XPTTM 900V IGBTs  
GenX3TM  
VCES = 900V  
IC110 = 140A  
VCE(sat) ≤ 2.7V  
tfi(typ) = 105ns  
IXYK140N90C3  
IXYX140N90C3  
High-Speed IGBTs  
for 20-50 kHz Switching  
TO-264 (IXYK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
900  
900  
V
V
Tab  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247 (IXYX)  
IC25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
310  
A
ILRMS  
IC110  
ICM  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
160  
140  
A
A
G
TC = 25°C, 1ms  
840  
A
C
Tab  
E
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
70  
1
A
J
G = Gate  
E
= Emitter  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω  
ICM = 280  
A
C = Collector  
Tab = Collector  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE ≤ VCES  
PC  
TC = 25°C  
1630  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
International Standard Packages  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
z
z
z
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
Avalanche Rated  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
High Current Handling Capability  
20..120 /4.5..27  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
950  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Applications  
5.5  
z
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
25 μA  
z
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
1.25 mA  
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
z
z
VCE(sat)  
IC = IC110, VGE = 15V, Note 1  
2.15  
2.85  
2.70  
V
V
z
z
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100450B(02/13)  
1234567

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与IXYK140N90C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYK200N65B3 IXYS

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 		Advance Technical Information
IXYK200N65B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK300N65A3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK30N170CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYL40N250CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYL50N170CV1 LITTELFUSE

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IXYN100N120B3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN100N120C3 LITTELFUSE

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IXYN100N120C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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