5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXYK100N65B3D1
IXYK100N65B3D1 PDF预览

IXYK100N65B3D1

更新时间： 2024-11-21 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXYK100N65B3D1 数据手册

 浏览型号IXYK100N65B3D1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXYK100N65B3D1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXYK100N65B3D1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXYK100N65B3D1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXYK100N65B3D1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXYK100N65B3D1的Datasheet PDF文件第7页 
Advance Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
IXYK100N65B3D1  
IXYX100N65B3D1  
VCES = 650V  
IC110 = 100A  
VCE(sat)  1.85V  
tfi(typ) = 73ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
TO-264 (IXYK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247 (IXYX)  
IC25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
225  
160  
100  
67  
A
A
A
A
ILRMS  
IC110  
IF110  
TC = 110°C  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
460  
A
G
C
Tab  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
E
600  
mJ  
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 3  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
Tab = Collector  
(RBSOA)  
@VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
Features  
(SCSOA)  
RG = 10, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
830  
International Standard Packages  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
High Current Handling Capability  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
6.0  
50 μA  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
3 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
Lamp Ballasts  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.53  
1.77  
1.85  
V
V
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100633(10/14)  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IXYK100N65B3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYK100N65C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK110N120B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYK110N120C4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYK120N120B3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYK120N120B3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor
IXYK120N120C3 IXYS

获取价格

 		1200V XPTTM IGBTs GenX3TM
IXYK120N120C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK140N90C3 IXYS

获取价格

 		XPTTM 900V IGBTs
IXYK140N90C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK200N65B3 IXYS

获取价格

 		Advance Technical Information

与IXYK100N65B3D1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证