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IXYH8N250CHV

更新时间： 2024-11-06 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
7页 283K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYH8N250CHV 数据手册

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Advance Technical Information  
High Voltage  
XPTTM IGBT  
VCES = 2500V  
IC110 = 8A  
VCE(sat)  4.0V  
tfi(typ) = 86ns  
IXYA8N250CHV  
IXYH8N250CHV  
TO-263HV (IXYA)  
G
E
C (Tab)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
2500  
2500  
V
V
TO-247HV (IXYH)  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
29  
8
70  
A
A
A
G
E
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 15  
Clamped Inductive Load  
ICM = 32  
1500  
A
V
C (Tab)  
C
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
PC  
TC = 25°C  
280  
W
Tab = Collector  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
High Voltage Packages  
High Blocking Voltage  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
High Peak Current Capability  
Low Saturation Voltage  
Weight  
TO-263HV  
TO-247HV  
2.5  
6.0  
g
g
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
2500  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
5.0  
Applications  
10 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
3 mA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
Laser Generators  
Capacitor Discharge Circuits  
AC Switches  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 8A, VGE = 15V, Note 1  
3.35  
4.75  
4.00  
V
V
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.  
DS100835A(5/17)  
1234567

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与IXYH8N250CHV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH8N250CV1HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYK100N120B3 IXYS

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 		Preliminary Technical Information
IXYK100N120B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N65B3D1 IXYS

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 		International Standard Packages
IXYK100N65B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N65C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK110N120B4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYK110N120C4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYK120N120B3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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