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IXYH60N90C3

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	181K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYH60N90C3 数据手册

XPT^TM900V IGBT

GenX3^TM

V_CES= 900V

I_C110= 60A

V_CE(sat) 2.9V

t_fi(typ)= 88ns

IXYH60N90C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

900

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

140

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

T_C= 25°C, 1ms

310

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 3

I_CM= 120

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

750

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Package

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



5.5



25 A

750 A



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

2.4

2.9

DS100452B(02/18)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXYH75N65C3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYH75N65C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH80N90C3	IXYS	获取价格	XPTTM 900V IGBT
IXYH80N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH82N120C3	IXYS	获取价格	1200V XPT IGBT GenX3
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