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IXYH80N90C3

更新时间： 2024-11-19 01:19:51

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IXYS		双极性晶体管
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6页	183K
描述
XPTTM 900V IGBT

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IXYH80N90C3 数据手册

XPT^TM900V IGBT

GenX3^TM

V_CES= 900V

I_C110= 80A

V_CE(sat) 2.7V

t_fi(typ)= 86ns

IXYT80N90C3

IXYH80N90C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-268 (IXYT)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

900

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

TO-247 (IXYH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

165

160

C (Tab)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

360

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 160

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

(RBSOA)

@V_CE V_CES

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

830

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)



M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247



International Standard Packages

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.

High Power Density

Low Gate Drive Requirement



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.5

Applications

25 A



T_J= 150C

750 A

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

2.3

2.9

2.7



DS100446B(12/15)

12 3 4 5 6

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