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IXYL50N170CV1

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
9页	254K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYL50N170CV1 数据手册

Advance Technical Information

V_CES= 1700V

I_C110= 46A

V_CE(sat) 3.7V

t_fi(typ)= 95ns

High Voltage

XPT^TMIGBT

w/ Diode

IXYL50N170CV1

(Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i5-Pak^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1700

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

Isolated Tab

G = Gate

E = Emitter

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

325

C = Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

1360

P_C

T_C= 25°C

580

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Features

-55 ... +175



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



4500V~ Electrical Isolation

F_C

Mounting Force

40..120 / 9..27

N/lb



High Voltage Package

High Blocking Voltage

V_ISOL

50/60 Hz, RM, t = 1min

2500

Weight



High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Low Gate Drive Requirement

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

5.0

Applications

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

V_CE= 0.8 • V_CES

25 μA



T_J= 125°C

5 mA

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA



V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150°C

2.8

3.9

3.7



High Frequency Power Inverters

DS100826A(4/17)

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXYN100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN100N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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