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IXYN100N65A3

更新时间： 2024-11-19 14:56:39

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	241K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYN100N65A3 数据手册

Preliminary Technical Information

650V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

IXYN100N65A3

V_CES= 650V

I_C110= 100A

V_CE(sat) 1.80V

t_fi(typ)= 122ns

Ultra Low-Vsat PT IGBT

for up to 5kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

170

100

460

E 

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

I_A

E_AS

T_C= 25°C

600

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

μs

(RBSOA)

V_CE V_CES

Features

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive



Optimized for Low Conduction Losses

miniBLOC, with Aluminium Nitride



P_C

T_C= 25°C

600

Isolation

International Standard Package

Isolation Voltage 2500V~

Optimized for up to 5kHz Switching

Square RBSOA

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175



V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



M_d

Mounting Torque

1.5/13

Nm/lb.in

Terminal Connection Torque

1.3/11.5

Nm/lb.in

Weight

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

3.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



UPS

Motor Drives

SMPS

Battery Chargers

Low Frequency Power Inverters

6.0

25 μA

T_J= 150°C

500 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±200 nA

V_CE(sat)

I_C= 70A, V_GE= 15V, Note 1

1.44

1.62

1.80

DS100547A(7/14)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYN100N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN100N65C3H1	IXYS	获取价格	IGBT XPT 650V 166A SOT-227B
IXYN100N65C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN110N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYN110N120B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYN110N120C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
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