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IXYN100N120B3H1

更新时间： 2024-11-06 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 212K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYN100N120B3H1 数据手册

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Preliminary Technical Information  
1200V XPTTM IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
VCES = 1200V  
IC110 = 76A  
IXYN100N120B3H1  
VCE(sat) ≤ 2.6V  
tfi(typ) = 240ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
E c  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
165  
76  
42  
A
A
A
E c  
C
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
480  
A
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
J
c
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
1.2  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω  
ICM = 200  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE ≤ VCES  
Features  
PC  
TC = 25°C  
690  
W
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Optimized for 5-30kHZ Switching  
Square RBSOA  
2500V~ Isolation Voltage  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
Avalanche Rated  
High Current Handling Capability  
z
z
-55 ... +150  
z
VISOL  
50/60Hz  
IISOL ≤ 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
z
z
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
z
z
International Standard Package  
Weight  
30  
g
Advantages  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Applications  
5.0  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
50 μA  
z
TJ = 125°C  
2.75 mA  
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
z
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
2.20  
2.76  
2.60  
V
V
z
z
z
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100520A(03/13)  
12345678

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与IXYN100N120B3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYN100N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN100N120C3H1 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
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