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IXYN100N120C3H1

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	251K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYN100N120C3H1 数据手册

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 1200V

I_C110= 60A

IXYN100N120C3H1

V_CE(sat) 3.50V

t_fi(typ)= 110ns

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

E 

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

140

E 

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

420

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

I_A

E_AS

T_C= 25°C



either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

1.2

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1

I_CM= 200

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

690



T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Isolation Voltage 2500V~

Anti-Parallel Sonic Diode

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

Avalanche Rated

High Current Handling Capability



-55 ... +150



V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.



International Standard Package

Weight

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.0



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

50 A

100 nA



T_J= 125C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V



V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

2.96

3.78

3.50



DS100407C(4/18)

12 3 4 5 6 7 8

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