IXYH82N120C3

更新时间： 2024-11-18 11:08:11

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IXYS		双极性晶体管
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6页	166K
描述
1200V XPT IGBT GenX3

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IXYH82N120C3 数据手册

Advance Technical Information

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 82A

V_CE(sat)≤ 3.2V

t_fi(typ)= 93ns

IXYH82N120C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

160

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

T_C= 25°C, 1ms

320

I_A

E_AS

T_C= 25°C

800

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 164

Features

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

International Standard Package

P_C

T_C= 25°C

1040

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Applications

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

4.5

25 μA

T_J= 125°C

250 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.50

3.20

DS100335(05/11)

12 3 4 5 6

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