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IXYN100N65B3D1

更新时间： 2024-11-21 14:56:39
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 256K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYN100N65B3D1 数据手册

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Advance Technical Information  
XPTTM 650V  
IXYN100N65B3D1  
VCES = 650V  
IC110 = 100A  
VCE(sat)  1.85V  
tfi(typ) = 73ns  
GenX3TM w/ Diode  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
G
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
E   
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
185  
100  
67  
A
A
A
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
490  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
600  
mJ  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 3  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@VCE VCES  
International Standard Package  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
Isolation  
2500V~ Isolation Voltage  
Anti-Parallel Diode  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
600  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
VISOL  
50/60Hz  
IISOL 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
30  
g
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
50 A  
mA  
100 nA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
3
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.53  
1.77  
1.85  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100680(8/15)  
12345678

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与IXYN100N65B3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYN100N65C3H1 IXYS

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 		IGBT XPT 650V 166A SOT-227B
IXYN100N65C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN110N120A4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYN110N120B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYN110N120C4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYN110N120C4H1 LITTELFUSE

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