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IXYN100N120C3

更新时间： 2023-12-06 20:13:05
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 261K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYN100N120C3 数据手册

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1200V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
VCES = 1200V  
IC110 = 84A  
IXYN100N120C3  
VCE(sat)  3.50V  
tfi(typ) = 110ns  
High-Speed IGBT  
E
for 20-50 kHz Switching  
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
E  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
160  
84  
A
A
E   
C
TC = 25°C, 1ms  
460  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
J
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
1.2  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1  
ICM = 200  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
PC  
TC = 25°C  
830  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
Isolation Voltage 2500V~  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
-55 ... +175  
VISOL  
50/60Hz  
IISOL 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
High Current Handling Capability  
International Standard Package  
Weight  
30  
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
5.0  
10 A  
1.25 mA  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
Lamp Ballasts  
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150C  
2.96  
3.78  
3.50  
V
V
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100405C(4/18)  
1234567

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与IXYN100N120C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYN100N120C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN100N65A3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN100N65B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN100N65C3H1 IXYS

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 		IGBT XPT 650V 166A SOT-227B
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IXYN110N120A4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYN110N120B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYN110N120C4 LITTELFUSE

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