Datasheet > IXYK110N120B4

IXYK110N120B4

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	852K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压，

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYK110N120B4 数据手册

1200V XPT^TMGen 4

IGBT

V_CES= 1200V

I_C110= 110A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 130ns

IXYK110N120B4

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

TO-264

(IXYK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

C (Tab)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

340

I_LRMS

I_C110

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

160

110

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

800

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 220

0.8 • V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

1360



Optimized for 5-30kHZ Switching

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

T_J

-55 ... +175

175

°C



T_JM

T_stg

-55 ... +175

International Standard Package

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.



High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Weight



Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.5

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 3mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

6.5

25 A

T_J= 150C

1.5 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

1.66

1.95

2.10

DS100958B(10/21)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXYK110N120B4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYK110N120C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYK120N120B3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYK120N120B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXYK120N120C3	IXYS	获取价格	1200V XPTTM IGBTs GenX3TM
IXYK120N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK140N90C3	IXYS	获取价格	XPTTM 900V IGBTs
IXYK140N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK200N65B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYK200N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK300N65A3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT