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IXYK120N120B3

更新时间： 2024-11-20 18:57:23

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力特 - LITTELFUSE		栅
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3页	166K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYK120N120B3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
Base Number Matches：	1

IXYK120N120B3 数据手册

Advance Technical Information

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 120A

V_CE(sat) 2.2V

t_fi(typ)= 260ns

IXYK120N120B3

IXYX120N120B3

High-Speed IGBT

for 10-30 kHz Switching

TO-264P (IXYK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXYX)

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

320

I_LRMS

I_C110

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

160

120

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

800

I_A

E_AS

T_C= 25°C

Tab

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1

Clamped Inductive Load

I_CM= 240

G = Gate

C = Collector

= Emitter

(RBSOA)

V_CE V_CES

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

1500

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Square RBSOA



-55 ... +175

International Standard Packages

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

Avalanche Rated

High Current Handling Capability



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264P

PLUS247

Advantages



High Power Density



Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 1mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

5.0



25 A

1.5 mA



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

200 nA



V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

1.8

2.4

2.2



Lamp Ballasts

DS100646(02/15)

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYK120N120C3	IXYS	获取价格	1200V XPTTM IGBTs GenX3TM
IXYK120N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK140N90C3	IXYS	获取价格	XPTTM 900V IGBTs
IXYK140N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK200N65B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYK200N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK300N65A3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK30N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYL40N250CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYL50N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

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