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IXYN110N120C4

更新时间： 2024-11-19 14:55:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	865K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压，

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IXYN110N120C4 数据手册

1200V XPT^TMGen 4

IGBT

IXYN110N120C4

V_CES= 1200V

I_C110= 110A

V_CE(sat) 2.40V

t_fi(typ)= 37ns

High Speed IGBT for

20-50kHzSwitching

SOT-227, miniBLOC

E153432

E 

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

E 

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

 either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

220

I_LRMS

I_C110

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

200

110

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

760

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 220

0.8 • V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

830



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

2500V~ Isolation Voltage

High Current Handling Capability

Optimized for 20-50kHZ Switching

Positive Thermal Coefficient of



T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg



-55 ... +175



V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



Vce(sat)

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.5

Typ.

Max.



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 3mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5



50 A

1.5 mA



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

1.90

2.27

2.40

DS101060A(10/21)

12 3 4 5 6 7

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