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IXYN120N65B3D1

更新时间： 2024-11-06 14:56:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 302K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYN120N65B3D1 数据手册

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XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
IXYN120N65B3D1  
VCES = 650V  
IC110 = 120A  
VCE(sat)  1.90V  
tfi(typ) = 107ns  
Extreme Light Punch through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
G
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
250  
A
E   
C
ILRMS  
IC110  
IF110  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
200  
120  
86  
A
A
A
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
770  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
60  
1
A
J
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2  
Clamped Inductive Load  
ICM = 240  
A
μs  
W
Features  
(RBSOA)  
VCE VCES  
International Standard Package  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 400V, TJ = 150°C  
8
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Isolation  
2500V~ Isolation Voltage  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
Anti-Parallel Fast Diode  
PC  
TC = 25°C  
830  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TVISOL  
50/60Hz  
IISOL 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
Advantages  
Weight  
30  
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
6.0  
25 A  
1.5 mA  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150C  
1.55  
1.77  
1.90  
V
V
©2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100663B(4/19)  
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与IXYN120N65B3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYN120N65C3D1 LITTELFUSE

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IXYN82N120C3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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