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IXYN150N60B3

更新时间： 2024-11-06 14:56:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 238K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYN150N60B3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
600V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
IXYN150N60B3  
VCES = 600V  
IC110 = 140A  
VCE(sat)  2.20V  
tfi(typ) = 80ns  
Extreme Light Punch through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
G
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
ILRMS  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
250  
200  
A
A
E   
C
IC110  
ICM  
TC = 110°C  
140  
750  
A
A
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
TC = 25°C, 1ms  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
75  
1
A
J
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2  
Clamped Inductive Load  
ICM = 300  
A
μs  
W
(RBSOA)  
VCE VCES  
Features  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
Optimized for Low Conduction and  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Switching Losses  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
PC  
TC = 25°C  
830  
Isolation  
International Standard Package  
Isolation Voltage 2500V~  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
VISOL  
50/60Hz  
IISOL 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Md  
Mounting Torque  
1.5/13  
Nm/lb.in  
Terminal Connection Torque  
1.3/11.5  
Nm/lb.in  
Weight  
30  
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
5.5  
10 μA  
mA  
±200 nA  
TJ = 150°C  
1
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
VCE(sat)  
IC = 150A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.77  
2.10  
2.20  
V
V
Lamp Ballasts  
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100548B(11/16)  
1234567

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与IXYN150N60B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYN300N65A3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYN30N170CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
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