型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXYN140N120A4 | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYN150N60B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYN300N65A3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYN30N170CV1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYN50N170CV1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYN75N65C3D1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYN80N90C3H1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYN82N120C3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4 | |
IXYN82N120C3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYN82N120C3H1 | IXYS |
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High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching |