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IXYN30N170CV1

更新时间： 2024-11-19 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYN30N170CV1 数据手册

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Preliminary Technical Information  
High Voltage  
XPTTM IGBT  
w/ Diode  
VCES = 1700V  
IC110 = 30A  
VCE(sat)  4.0V  
tfi(typ) = 95ns  
IXYN30N170CV1  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E  
G
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1700  
1700  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
E   
C
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25°C  
80  
30  
33  
A
A
A
A
TC = 110°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
270  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2.7  
Clamped Inductive Load  
ICM = 120  
1360  
A
V
PC  
TC = 25°C  
680  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
International Standard Package  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
VISOL  
50/60Hz  
IISOL 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Isolation  
2500V~ Isolation Voltage  
Anti-Parallel Diode  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
High Voltage Package  
High Blocking Voltage  
Low Saturation Voltage  
Weight  
30  
g
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1700  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V  
V
V
5.0  
Applications  
25 A  
TJ = 125C  
TJ = 150C  
4 mA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
Laser Generators  
Capacitor Discharge Circuits  
AC Switches  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 30A, VGE = 15V, Note 1  
3.5  
4.6  
4.0  
V
V
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100739B(3/17)  
12345678

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与IXYN30N170CV1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYN50N170CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYN75N65C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXYN82N120C3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYN82N120C3H1 IXYS

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