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IXYN110N120B4H1

更新时间： 2024-09-28 15:19:03

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	993K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压，使

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IXYN110N120B4H1 数据手册

IGBT Datasheet

IXYN110N120B4H1

1200 V, 110 A XPT^TMGen4 IGBT with Sonic Diode

Extreme Light Punch Through IGBT for 5 – 30 kHz Switching

Description:

Developed using our proprietary XPT™ thin-wafer technology

and state-of-the-artTrench IGBT process, these devices feature

reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching,

low tail current, and high current densities.

Features & Beneﬁts:

■

Optimized for 5–30kHz

Switching

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

International Standard Package

Anti-Parallel Sonic Diode

■

miniBLOC, with Aluminium

Nitride Isolation

■

2500V~ Isolation Voltage

High Current Handling Capability

PositiveThermal Coefﬁcient

of V_CE(sat)

Pinout Diagram (SOT-227B)

Applications:

baseplate

■

Power Inverters

UPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Motor Drives

SMPS

Product Summary

Characteristic

V_CES

Value

1200

110

Unit

I_C110

G: Gate; C: Collector; E: Emitter; baseplate: Isolated

*Either emitter terminal can be used as Main or Kelvin Emitter

2.10

130

V_CE(sat)

t_ﬁ(typ)

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: XZ 10/15/2023

12 3 4 5 6 7...9

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