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IXYH82N120C3

更新时间： 2024-11-18 14:56:27

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	219K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYH82N120C3 数据手册

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 82A

V_CE(sat) 3.20V

t_fi(typ)= 93ns

IXYH82N120C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit

T_C= 110°C

200

160

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

380

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

I_CM= 164

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

1250



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

High Current Handling Capability

International Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Applications



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



5.0



25 A

T_J= 150C

500 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.76

3.20

DS100335C(1/19)

12 3 4 5 6 7 8

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