Datasheet > IXYH82N120C3

IXYH82N120C3

更新时间： 2024-11-06 14:56:27

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	219K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYH82N120C3 数据手册

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 82A

V_CE(sat) 3.20V

t_fi(typ)= 93ns

IXYH82N120C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit

T_C= 110°C

200

160

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

380

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

I_CM= 164

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

1250



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

High Current Handling Capability

International Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Applications



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



5.0



25 A

T_J= 150C

500 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.76

3.20

DS100335C(1/19)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IXYH82N120C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYH8N250CHV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH8N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYK100N120B3	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information
IXYK100N120B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N65B3D1	IXYS	获取价格	International Standard Packages
IXYK100N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK110N120B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYK110N120C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

与IXYH82N120C3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYH82N120C3

IXYH82N120C3 数据手册

与IXYH82N120C3相关器件

与IXYH82N120C3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYH82N120C3

IXYH82N120C3 数据手册

与IXYH82N120C3相关器件

与IXYH82N120C3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？