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IXYH55N120C4H1

更新时间： 2024-11-06 15:19:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1091K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压，使

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IXYH55N120C4H1 数据手册

IGBT Datasheet

IXYH55N120C4H1

1200 V, 55 A XPT^TMGen4 IGBT with Sonic Diode

High Speed IGBT for 20–50 kHz Switching

Description:

Developed using our proprietary XPT™ thin-wafer technology

and state-of-the-artTrench IGBT process, these devices feature

reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching,

low tail current, and high current densities.

Features & Beneﬁts:

■

Optimized for Low Switching

Loss

High Current Handling Capability

High Power Density

PositiveThermal Coefﬁcient of

V_CE(sat)

Low Gate Drive Requirement

Anti-Parallel Sonic Diode

International Standard Package

Applications:

Pinout Diagram (TO-247-3L)

■

Power Inverters

UPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

backside

Motor Drives

SMPS

Product Summary

Characteristic

V_CES

Value

1200

Unit

I_C110

2.50

V_CE(sat)

t_ﬁ(typ)

G: Gate; C: Collector; E: Emitter; backside: Collector

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: XZ 04/19/2023

12 3 4 5 6 7...9

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