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IXYH55N120A4

更新时间： 2024-02-23 09:11:13

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力特 - LITTELFUSE		栅极驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1153K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYH55N120A4 数据手册

1200V XPT^TM

GenX4^TMIGBT

V_CES= 1200V

I_C110= 55A

V_CE(sat) 1.8V

t_fi(typ)= 270ns

IXYH55N120A4

Ultra Low-Vsat PT IGBT for

up to 5kHz Switching

TO-247

(IXYH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

G = Gate

E = Emitter

= Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab = Collector

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

175

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

350

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5

I_CM= 110



Optimized for Low Conduction Losses

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE 0.8 • V_CES



P_C

T_C= 25°C

650

International Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5



A



Inrush Current Protector Circuits

T_J= 150C

2.5 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 55A, V_GE= 15V, Note 1

1.5

1.8

DS100983C(4/20)

12 3 4 5 6 7 8

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