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IXYH75N65C3H1

更新时间： 2024-03-25 22:01:51

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	264K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYH75N65C3H1 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX3^TMw/ Sonic

Diode

IXYH75N65C3H1

V_CES= 650V

I_C110= 75A

V_CE(sat) 2.3V

t_fi(typ)= 50ns

Extreme Light Punch through

IGBT for 20-60kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_LRMS

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

170

160

G = Gate

Collector

E = Emitter

Tab = Collector

I_C110

I_F110

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

360

I_A

E_AS

T_C= 25°C

300

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 3

Clamped Inductive Load

I_CM= 150

μs

Features

(RBSOA)

V_CE V_CES

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C



International Standard Package

Optimized for 20-60kHz Switching

Square RBSOA

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive



P_C

T_C= 25°C

750

Avalanche Rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

Anti-Parallel Sonic Diode

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in



Weight

Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

3.5

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.0

50 A

100 nA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.8

2.2

2.3

DS100573A(7/14)

12 3 4 5 6 7 8

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