5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXYH75N65C3H1
IXYH75N65C3H1 PDF预览

IXYH75N65C3H1

更新时间： 2024-11-05 20:47:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
7页 239K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXYH75N65C3H1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.39
Base Number Matches：1

IXYH75N65C3H1 数据手册

 浏览型号IXYH75N65C3H1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXYH75N65C3H1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXYH75N65C3H1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXYH75N65C3H1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXYH75N65C3H1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXYH75N65C3H1的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM w/ Sonic  
Diode  
IXYH75N65C3H1  
VCES = 650V  
IC110 = 75A  
VCE(sat)  2.3V  
tfi(typ) = 50ns  
Extreme Light Punch through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
Tab  
=
E
IC25  
ILRMS  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
170  
160  
A
A
G = Gate  
C
Collector  
E = Emitter  
Tab = Collector  
IC110  
IF110  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
75  
62  
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
360  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
A
300  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 3  
Clamped Inductive Load  
ICM = 150  
A
μs  
W
Features  
(RBSOA)  
VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
International Standard Package  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
750  
Avalanche Rated  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
Anti-Parallel Sonic Diode  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in  
g
Weight  
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
50 A  
mA  
100 nA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
4
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
1.8  
2.2  
2.3  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100573A(7/14)  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXYH75N65C3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH80N90C3 IXYS

获取价格

 		XPTTM 900V IGBT
IXYH80N90C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH82N120C3 IXYS

获取价格

 		1200V XPT IGBT GenX3
IXYH82N120C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH8N250CHV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH8N250CV1HV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYK100N120B3 IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information
IXYK100N120B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N120C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYK100N65B3D1 IXYS

获取价格

 		International Standard Packages

与IXYH75N65C3H1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证