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IXYH55N120C4

更新时间： 2024-09-25 14:55:43

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	1157K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压，

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IXYH55N120C4 数据手册

1200V XPT^TMGen 4

IGBT

V_CES= 1200V

I_C110= 55A

V_CE(sat) 2.5V

t_fi(typ)= 42ns

IXYH55N120C4

High Speed IGBT

for 20-50kHz Switching

TO-247

(IXYH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

C (Tab)

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

G = Gate

E = Emitter

= Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab = Collector

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

140

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

290

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

I_CM= 110

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE 0.8 • V_CES

Features

P_C

T_C= 25°C

650



Optimized for Low Switching Losses

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

T_J

-55 ... +175

175

°C



T_JM

T_stg

-55 ... +175

International Standard Package

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Weight



Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5



20 A

T_J= 150C

500 A

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 55A, V_GE= 15V, Note 1

2.1

2.6

2.5

DS100956C(10/21)

12 3 4 5 6 7

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