型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXYH50N65C3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYH50N65C3D1 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYH50N65C3H1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYH50N65C3H1 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYH55N120A4 | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYH55N120B4H1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXYH55N120C4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXYH55N120C4H1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXYH60N90C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYH75N65C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |