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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | D3PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXST45N120B | IXYS |
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High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability |
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| IXSX35N120AU1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with Diode |
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| IXSX35N120AU1S | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247SMD |
|
| IXSX35N120BD1 | IXYS |
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HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE |
|
| IXSX40N60BD1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD |
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| IXSX40N60CD1 | IXYS |
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IGBT with Diode |
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| IXSX50N60AU1 | IXYS |
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IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSX50N60AU1S | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSX50N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN |
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| IXSX50N60BU1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR |
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