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IXTA05N100HVTRL

更新时间： 2024-09-10 20:58:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	178K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 2 PIN

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IXTA05N100HVTRL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.67	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.75 A	最大漏极电流 (ID)：	0.75 A
最大漏源导通电阻：	17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA05N100HVTRL 数据手册

V_DSS= 1000V

I_D25= 750mA

R_DS(on) 17

IXTA05N100HV

IXTA05N100

IXTP05N100

High Voltage

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263HV (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 AA (IXTA)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

750

TO-220AB (IXTP)

I_A

E_AS

T_C= 25C

100

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J150C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in



High Voltage Package

Fast Intrinsic Diode

Fast Switching Times

Avalanche Rated

High Voltage, R_ds(on)HDMOS^TM

Process

Weight

TO-220

TO-263

TO-263HV

3.0

2.5



Rugged Polysilicon Gate Cell structure

Extended FBSOA

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

High Power Density

Space Savings



4.5

Applications

100 nA

I_DSS

25 A

500 A



Switch-Mode and Resonant-Mode

T_J= 125C

Power Supplies

Flyback Inverters

DC Choppers

High Fequency Matching



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 375mA, Note 1





DS98736E(01/14)

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA05N100P	IXYS	获取价格	Fast Intrinsic Diode
IXTA05N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA05N100P_V01	IXYS	获取价格	Fast Intrinsic Diode
IXTA05N100-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA06N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1200V, 34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA06N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA08N100D2HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
IXTA08N100D2HV	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电

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