Datasheet > IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

更新时间： 2024-09-11 14:56:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		放大器栅晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
7页	303K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA08N50D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 500V

I_D(on)> 800mA

IXTY08N50D2

IXTA08N50D2

IXTP08N50D2

R_DS(on) 4.6

N-Channel

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

P_D

T_C= 25C

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

D (Tab)

= Drain

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

G = Gate

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

- 2.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 25A

V_DS= 25V, I_D= 25A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

Advantages

- 4.5

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

50 nA

A

10 A

I_DSX(off)

T_J= 125C

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 400mA, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

4.6



• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

800

DS100178E(9/17)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTA08N50D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA100N04T2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA100N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA100N15X4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA102N15T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA10N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA10P15T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTA10P50P	IXYS	获取价格	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA10P50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(