5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTA100N04T2
IXTA100N04T2 PDF预览

IXTA100N04T2

更新时间： 2024-11-06 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 343K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTA100N04T2 数据手册

 浏览型号IXTA100N04T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTA100N04T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTA100N04T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTA100N04T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTA100N04T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTA100N04T2的Datasheet PDF文件第7页 
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 40V  
ID25 = 100A  
RDS(on) 7m  
IXTA100N04T2  
IXTP100N04T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
TO-220 (IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 175C  
40  
40  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSM  
Transient  
20  
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
100  
300  
A
A
D (Tab)  
G = Gate  
S = Source Tab = Drain  
D
= Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
50  
A
EAS  
300  
mJ  
PD  
TC = 25C  
150  
W
Features  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Fast Intrinsic Rectifier  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
ROHS Compliant  
High Performance Trench  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Md  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Technology for extremely low RDS(on)  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
40  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
Automotive Engine Control  
Synchronous Buck Converter  
           100 nA  
A  
(for Notebook SystemPower &  
IDSS  
2
General Purpose Point & Load)  
DC/DC Converters  
High Current Switching Applications  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1 & 2  
50 A  
7 m  
RDS(on)  
Power Train Management  
Distributed Power Architecture  
  
DS99972A(7/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXTA100N04T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA100N15X4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA102N15T IXYS

获取价格

 		Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA102N15T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA102N15T-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA10N60P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA10P15T LITTELFUSE

获取价格

 		Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTA10P50P IXYS

获取价格

 		PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA10P50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTA110N055P IXYS

获取价格

 		PolarHT Power MOSFET
IXTA110N055T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IXTA100N04T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证