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IXTA05N100-TRL

更新时间： 2024-09-10 21:05:11
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA05N100-TRL 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
Base Number Matches：1

IXTA05N100-TRL 数据手册

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VDSS = 1000V  
ID25 = 750mA  
RDS(on) 17  
IXTA05N100HV  
IXTA05N100  
IXTP05N100  
High Voltage  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263HV (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 AA (IXTA)  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
1000  
1000  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
S
D (Tab)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
750  
3
mA  
A
TO-220AB (IXTP)  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
1
100  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
3
V/ns  
W
G
D
D (Tab)  
= Drain  
40  
S
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
G = Gate  
D
S = Source  
Tab = Drain  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
High Voltage Package (TO-263HV)  
Fast Switching Times  
Avalanche Rated  
Rds(on) HDMOSTM Process  
Rugged Polysilicon Gate Cell structure  
Extended FBSOA  
Weight  
TO-220  
TO-263  
TO-263HV  
3.0  
2.5  
2.5  
g
g
g
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
High Power Density  
Space Savings  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
Applications  
4.5  
V
100 nA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Flyback Inverters  
DC Choppers  
IDSS  
25 A  
500 A  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 375mA, Note 1  
17  
DS98736F(5/14)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
12345

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与IXTA05N100-TRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA06N120P IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1200V, 34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA06N120P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA08N100D2 IXYS

获取价格

 		Depletion Mode MOSFET
IXTA08N100D2 LITTELFUSE

获取价格

 		不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA08N100D2HV IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
IXTA08N100D2HV LITTELFUSE

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 		不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA08N100D2-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA08N100P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N100P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N120P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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