Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTA08N100D2

IXTA08N100D2

更新时间： 2024-11-18 12:35:35

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描述
Depletion Mode MOSFET

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IXTA08N100D2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	3.83
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻：	21 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA08N100D2 数据手册

Preliminary Technical Information

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 800mA

IXTY08N100D2

IXTA08N100D2

IXTP08N100D2

R_DS(on)≤ 21Ω

N-Channel

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 AA (IXTA)

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

P_D

T_C= 25°C

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

TO-220AB (IXTP)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

D (Tab)

= Drain

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.0

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 25μA

V_DS= 25V, I_D= 25μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

Advantages

- 4.0

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

±50 nA

μA

15 μA

I_DSX(off)

T_J= 125°C

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 400mA, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

800

DS100182A(12/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA08N100D2HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
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IXTA08N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA08N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA08N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
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