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IXTA08N100D2HV

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	249K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

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IXTA08N100D2HV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

IXTA08N100D2HV 数据手册

High Voltage

Depletion Mode

Power MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 800mA

IXTA08N100D2HV

R_DS(on) 21

N-Channel

TO-263HV

(IXTA..HV)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

V_DGX

G = Gate

S = Source

= Drain

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

Tab = Drain

P_D

T_C= 25C

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



High Voltage Package

• Normally ON Mode

F_C

Mounting Force

10..65 / 22..14.6

2.5

N/lb

• International Standard Package

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Weight

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.0

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 25A

V_DS= 25V, I_D= 25A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

- 4.0

50 nA

A

15 A

I_DSX(off)

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 400mA, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1



800

DS100596B(11/19)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA08N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA08N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA08N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA100N04T2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA100N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA100N15X4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低

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