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IXTA06N120P

更新时间： 2024-11-06 14:56:43

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	290K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1200V

I_D25= 0.6A

R_DS(on) 34

IXTA06N120P

IXTP06N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

T_J= 25C to 150C

1200

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

0.6

1.2

D (Tab)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

0.6

Tab = Drain

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Advantages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

1200

2.0

Max.



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 50A

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



Power Supplies

AC and DC Motor Drives

4.0

            50 nA

A

125 A





Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

I_DSS





High Voltage Pulse Power

T_J= 125C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

Applications

R_DS(on)



DS99872E(6/18)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA08N100D2HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
IXTA08N100D2HV	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA08N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1000V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1200V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA08N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
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