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IXTA05N100

更新时间： 2023-12-06 20:13:09
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关高压脉冲电源开关调节器
页数 文件大小 规格书
6页 218K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。 功能与特色: 应用: 优点:

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IXTA05N100 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
端子面层：Matte Tin (Sn)

IXTA05N100 数据手册

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VDSS = 1000V  
ID25 = 750mA  
RDS(on) 17  
IXTA05N100HV  
IXTA05N100  
IXTP05N100  
High Voltage  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263HV (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 AA (IXTA)  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
1000  
1000  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
S
D (Tab)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
750  
3
mA  
A
TO-220AB (IXTP)  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
1
100  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
3
V/ns  
W
G
D
D (Tab)  
= Drain  
40  
S
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
G = Gate  
D
S = Source  
Tab = Drain  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
High Voltage Package (TO-263HV)  
Fast Switching Times  
Avalanche Rated  
Rds(on) HDMOSTM Process  
Rugged Polysilicon Gate Cell structure  
Extended FBSOA  
Weight  
TO-220  
TO-263  
TO-263HV  
3.0  
2.5  
2.5  
g
g
g
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
High Power Density  
Space Savings  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
Applications  
4.5  
V
100 nA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Flyback Inverters  
DC Choppers  
IDSS  
25 A  
500 A  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 375mA, Note 1  
17  
DS98736F(5/14)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
123456

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与IXTA05N100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA05N100HV LITTELFUSE

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IXTA08N100D2 LITTELFUSE

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 		不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电

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