生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.46 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA05N100HVTRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA05N100P | IXYS |
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Fast Intrinsic Diode | |
IXTA05N100P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA05N100P_V01 | IXYS |
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Fast Intrinsic Diode | |
IXTA05N100-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA06N120P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1200V, 34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTA06N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA08N100D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTA08N100D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTA08N100D2HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu |