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IXSX50N60AU1

更新时间： 2024-01-18 04:40:25

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	142K
描述
IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability

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IXSX50N60AU1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	600 ns
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	340 ns	标称接通时间 (ton)：	70 ns
Base Number Matches：	1

IXSX50N60AU1 数据手册

Preliminary data

V_CES= 600 V

IXSX50N60AU1

IXSX50N60AU1S

IGBT with Diode

I_C25

= 75 A

V_CE(sat)= 2.7 V

Combi Pack

Short Circuit SOA Capability

TO-247 Hole-less SMD

(50N60AU1S)

C (TAB)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

TO-247 Hole-less

(50N60AU1)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C, limited by leads

T_C= 90°C

C (TAB)

T_C= 25°C, 1 ms

200

G = Gate,

C = Collector,

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 Ω

I_CM= 100

@ 0.8 V_CES

µs

E = Emitter,

TAB = Collector

Clamped inductive load, L = 30 µH

Features

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 22 Ω, non repetitive

Hole-less TO-247 package for clip

mounting

High current rating

Guaranteed Short Circuit SOA

capability

High frequency IGBT and anti-

parallel FRED in one package

Low V_CE(sat)

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Weight

- for minimum on-state conduction

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

losses

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 3 mA, V_GE= 0 V

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

600

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

750

15 mA

µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

2.7

Space savings (two devices in one

package)

High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

97512 (5/97)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSX50N60AU1S	IXYS	获取价格	IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXSX50N60BU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247VAR
IXSX80N60B	IXYS	获取价格	High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
IXTA02N250	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA02N250HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA02N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA02N250HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA02N450HV	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
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