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IXSX50N60BD1 PDF预览

IXSX50N60BD1

更新时间： 2024-01-08 19:09:54
品牌 Logo 应用领域
IXYS 电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 103K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN

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IXSX50N60BD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：PLUS247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84其他特性：HIGH SPEED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：460 ns
标称接通时间 (ton)：140 nsBase Number Matches：1

IXSX50N60BD1 数据手册

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IGBT with Diode  
IXSK 50N60BD1 VCES  
IXSX 50N60BD1 IC25  
= 600 V  
= 75 A  
VCE(sat) = 2.5 V  
Short Circuit SOA Capability  
PLUS247  
(IXSX)  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
C (TAB)  
G
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
C
E
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
V
TO-264 AA  
(IXSK)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C, limited by leads  
TC = 90°C  
75  
50  
A
A
A
G
C
E
TC = 25°C, 1 ms  
200  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 W  
Clamped inductive load, L = 30 mH  
ICM = 100  
@ 0.8 VCES  
A
ms  
W
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
tSC  
(SCSOA)  
VGE= 15 V, VCE = 360 V, TJ = 125°C  
RG = 22 W, non repetitive  
10  
Features  
• Internationalstandardpackage  
PC  
TC = 25°C  
300  
JEDEC TO-264 AA, and hole-less  
TO-247 package for clip mounting  
• Guaranteed Short Circuit SOA  
capability  
• High frequency IGBT and anti-  
parallel FRED in one package  
• Latest generation HDMOSTM process  
• Low VCE(sat)  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Md  
Mountingtorque  
0.9/6 Nm/lb.in.  
Weight  
10  
g
- forminimumon-stateconduction  
losses  
• MOS Gate turn-on  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
- drive simplicity  
• Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)  
- soft recovery with low IRM  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
• Switch-modeandresonant-mode  
powersupplies  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 3 mA, VGE = 0 V  
IC = 4 mA, VCE = VGE  
600  
4
V
8
V
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
350  
5
mA  
mA  
Advantages  
• Space savings (two devices in one  
package)  
• Easy to mount with 1 screw  
(isolatedmountingscrewhole)  
• Reduces assembly time and cost  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100  
nA  
V
VCE(sat)  
IC = IC90; VGE = 15 V  
2.2  
2.5  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98619(4/99)  
1 - 5  
12345

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IXSX50N60BD1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXSX40N60CD1 IXYS

类似代替

 IGBT with Diode

与IXSX50N60BD1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXSX50N60BU1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
IXSX80N60B IXYS

获取价格

 		High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
IXTA02N250 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA02N250HV IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
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