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IXSX40N60CD1 PDF预览

IXSX40N60CD1

更新时间： 2024-01-25 08:05:45
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
IGBT with Diode

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IXSX40N60CD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：PLUS247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：120 ns
门极发射器阈值电压最大值：7 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：280 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：280 ns标称接通时间 (ton)：100 ns
Base Number Matches：1

IXSX40N60CD1 数据手册

 浏览型号IXSX40N60CD1的Datasheet PDF文件第2页 
IXSK 40N60CD1  
IXSX 40N60CD1  
IGBT with Diode  
VCES  
IC25  
= 600 V  
= 75 A  
PLUS247TM package  
VCE(sat) = 2.5 V  
Short Circuit SOA Capability  
tfi(typ)  
= 70 ns  
Preliminary data  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
PLUS247TM  
(IXSX)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
V
C (TAB)  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C, limited by leads  
TC = 90°C  
75  
40  
A
A
A
TO-264 AA  
(IXSK)  
TC = 25°C, 1 ms  
150  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 W  
Clamped inductive load, L = 30 mH  
ICM = 80  
@ 0.8 VCES  
A
ms  
W
G
C
E
tSC  
(SCSOA)  
VGE= 15 V, VCE = 360 V, TJ = 125°C  
RG = 22 W, non repetitive  
10  
G = Gate,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
E = Emitter,  
PC  
TC = 25°C  
280  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
• Internationalstandardpackages  
• Guaranteed Short Circuit SOA  
capability  
Md  
Mountingtorque  
(TO-264)  
0.9/6 Nm/lb.in.  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
• High frequency IGBT and anti-  
parallel FRED in one package  
• Latest generation HDMOSTM process  
• MOS Gate turn-on  
Weight  
Symbol  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
- drivesimplicity  
• FastRecovery,lowleakageEpitaxial  
Diode  
- soft recovery with low IRM  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Applications  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 1 mA, VGE = 0 V  
IC = 4 mA, VCE = VGE  
600  
4
V
• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
• Switch-modeandresonant-mode  
powersupplies  
7
V
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
650  
5
mA  
mA  
Advantages  
• PLUS 247TM package for clip or spring  
mounting  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100  
nA  
V
• Space savings (two devices in one  
package)  
• Reduces assembly time and cost  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
2.5  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98574A(7/00)  
1 - 2  
12

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IXSX40N60CD1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXSX50N60BD1 IXYS

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXXX100N60C3H1 IXYS

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXSX50N60AU1 IXYS

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 		IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60BD1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXSX50N60BU1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
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 		High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
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