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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 113 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA05N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTA05N100 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTA05N100HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTA05N100HVTRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTA05N100P | IXYS |
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Fast Intrinsic Diode |
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| IXTA05N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTA05N100P_V01 | IXYS |
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Fast Intrinsic Diode |
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| IXTA05N100-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA06N120P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1200V, 34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTA06N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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