Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSX35N120AU1

IXSX35N120AU1

更新时间： 2024-02-18 17:44:58

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IXYS		晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
5页	90K
描述
High Voltage IGBT with Diode

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IXSX35N120AU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	700 ns	门极发射器阈值电压最大值：	8 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	35
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1100 ns	标称接通时间 (ton)：	230 ns
Base Number Matches：	1

IXSX35N120AU1 数据手册

HighVoltage

IGBT with Diode

Combi Pack

IXSX 35N120AU1

V_CES

I_C25

= 1200 V

= 70 A

V_CE(SAT)

4 V

Short Circuit SOA Capability

PLUS TO-247^TM

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

(IXSX35N120AU1)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1 ms

140

E = Emitter,

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 30 mH

I_CM= 70

@ 0.8 V_CES

Features

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 720 V, T_J= 125°C

R_G= 22 W, non repetitive

• Hole-less TO-247 package for clip

mounting

• HighfrequencyIGBTandanti-parallel

FRED in one package

• Low V_CE(sat)

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

P_C

T_C= 25°C

IGBT

Diode

300

190

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

T_L

°C

-55 ... +150

300

- drivesimplicity

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

TO-247 HL

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

min. typ. max.

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 5 mA, V_GE= 0 V

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

1200

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

750

15 mA

Advantages

• Space savings (two devices in one

package)

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97514D(7/00)

1 - 5

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSX35N120AU1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 70A I(C) \| TO-247SMD
IXSX35N120BD1	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSX40N60BD1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247AD
IXSX40N60CD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSX50N60AU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60AU1S	IXYS	获取价格	IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXSX50N60BU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247VAR
IXSX80N60B	IXYS	获取价格	High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
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