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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSX35N120BD1 | IXYS |
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HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE |
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| IXSX40N60BD1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD |
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| IXSX40N60CD1 | IXYS |
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IGBT with Diode |
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| IXSX50N60AU1 | IXYS |
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IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSX50N60AU1S | IXYS |
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IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSX50N60BD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN |
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| IXSX50N60BU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR |
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| IXSX80N60B | IXYS |
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High Current IGBT Short Circuit SOA Capability |
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| IXTA02N250 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTA02N250HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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