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IXST45N120B

更新时间： 2024-10-02 12:02:23

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability

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IXST45N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1140 ns
标称接通时间 (ton)：	67 ns	Base Number Matches：	1

IXST45N120B 数据手册

IXSH 45N120B

IXST 45N120B

"S" Series - Improved SCSOA Capability

HighVoltageIGBT

I_C25

= 75 A

= 1200 V

V_CES

V_CE(sat)= 3.0 V

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXSH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 90°C

TO-268 ( IXST)

T_C= 25°C, 1 ms

180

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 5 W

Clampedinductiveload

I_CM= 90

@ 0.8 V_CES

t_SC

T_J= 125°C, V_GE= 720 V; V_GE= 15 V, R_G= 5 W

T_C= 25°C

G = Gate

C = Collector

TAB = Collector

S = Emitter

P_C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mountingtorque

(TO-247)

TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• EpitaxialSilicondriftregion

- fastswitching

- small tail current

Weight

• MOS gate turn-on for drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1.0 mA, V_GE= 0 V

1200

• Welding

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

Note 1

50 mA

2.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90,V_GE= 15 V

Note 2

2.5

2.6

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98713A(7/00)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXSX35N120AU1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 70A I(C) \| TO-247SMD
IXSX35N120BD1	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE
IXSX40N60BD1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247AD
IXSX40N60CD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXSX50N60AU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60AU1S	IXYS	获取价格	IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXSX50N60BU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247VAR
IXSX80N60B	IXYS	获取价格	High Current IGBT Short Circuit SOA Capability

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