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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 8 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 35 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1350 ns | 标称接通时间 (ton)： | 300 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSH25N120AU1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode |
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| IXSH30N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSH30N60A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
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| IXSH30N60AU1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit SOA Capa |
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| IXSH30N60B | IXYS |
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High Speed IGBT |
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| IXSH30N60B2D1 | IXYS |
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High Speed IGBT with Diode |
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| IXSH30N60B2D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXSH30N60BD1 | IXYS |
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High Speed IGBT with Diode |
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| IXSH30N60C | IXYS |
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High Speed IGBT |
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| IXSH30N60CD1 | IXYS |
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Short Circuit SOA Capability |
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