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IXFN32N100P

更新时间： 2024-01-08 17:52:14

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Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFN32N100P 数据手册

IXFN32N100P

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

T_J= - 40ºC

25ºC

125ºC

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

9.0

9.5

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

100

V_DS= 500V

I _D= 16A

I _G= 10mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

100

150

200

250

300

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

100,000

10,000

1,000

100

1.000

0.100

0.010

0.001

= 1 MHz

iss

oss

rss

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

Pulse Width - Seconds

IXYS REF: F_32N100P(96)3-28-08-C

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