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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXBD4411PI | IXYS |
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ISOSMART Half Bridge Driver Chipset |
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| IXBD4411SI | IXYS |
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ISOSMART Half Bridge Driver Chipset |
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| IXBD4412PC | ETC |
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Interface IC |
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| IXBD4412PI | ETC |
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Interface IC |
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| IXBD4413PC | ETC |
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Interface IC |
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| IXBD4413PI | ETC |
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Interface IC |
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| IXBF12N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3 |
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| IXBF14N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF14N300 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF16N360 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
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