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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXBD4411PI | IXYS |
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ISOSMART Half Bridge Driver Chipset |
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| IXBD4411SI | IXYS |
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ISOSMART Half Bridge Driver Chipset |
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| IXBD4412PC | ETC |
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Interface IC |
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| IXBD4412PI | ETC |
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Interface IC |
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| IXBD4413PC | ETC |
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Interface IC |
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| IXBD4413PI | ETC |
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Interface IC |
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| IXBF12N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3 |
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| IXBF14N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF14N300 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF16N360 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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